首页> 中文会议>第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 >AlGaN/GaN MSM紫外探测器结构中肖特基结特性

AlGaN/GaN MSM紫外探测器结构中肖特基结特性

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

在蓝宝石衬底上,用MOCVD(金属有机物气相沉积)法外延生长AlGaN/GaN异质结样品.溅射Ti/Al/Ni/Au和Ni/Au金属膜,在氮气气氛中高温快速退火,分别与样品形成欧姆接触和肖特基接触,讨论测量获得肖特基的I-V和C-V特性曲线.随着退火时间的延长,MSM(金属-半导体-金属)结构的I-V特性曲线保持良好的对称性,但C-V曲线逐渐失去其对称性.

著录项

来源
《第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议》|2004年|162-165|共4页
会议地点大连
作者
周劲; 郝一龙; 武国英; 杨志坚; 张国义;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类紫外技术及仪器;场效应器件;
关键词
AlGaN/GaN MSM; 肖特基结特性; 紫外探测器; 外延生长;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. AlGaN/GaN MSM紫外探测器特性 [J] . 周劲 ,郝一龙 ,武国英 . 红外 . 2005,第006期
2. Ni/AlGaN/GaN结构中肖特基势垒温度特性 [J] . 张小玲 ,谢雪松 ,吕长志 . 北京工业大学学报 . 2008,第004期
3. GaN基MSM结构紫外探测器光响应特性 [J] . 周飞跃 ,杜江锋 ,于奇 . 半导体光电 . 2006,第4期
4. 高阻GaN基MSM结构紫外探测器的光电流特性 [J] . 苑进社 ,陈光德 ,谢伦军 . 半导体光电 . 2003,第5期
5. 900 V/10 A Si基AlGaN/GaN异质结肖特基二极管研制 [J] . 谭永亮 ,张力江 ,段雪 . 电力电子技术 . 2020,第010期
6. 从AlGaN/GaN异质结肖特基二极管正向I-V特性中提取势垒高度的方法 [C] . 栾崇彪 ,林兆军 ,孟令国 . 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 . 2010
7. GaN肖特基紫外探测器光电特性研究及GaAs衬底上生长的GaN薄膜的结构分析 [A] . 沈晓明 . 2006

AlGaN/GaN MSM紫外探测器结构中肖特基结特性

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅