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制造硅基增强红外吸收光电探测器的方法及其光电探测器

摘要

本发明实施例公开了一种制造硅基增强红外吸收光电探测器的方法,包括:提供硅衬底材料;在硅衬底材料上形成周期性槽状结构,获得红外吸收增强层;在红外吸收增强层上形成势垒增强层;在势垒增强层上形成电极层。本发明的实施例中,红外吸收增强层包括周期性槽状结构,可以有效提高红外波段吸收,并且在电极与吸收增强层之间增加了势垒增强层,可以有效增加势垒层高度,从而降低暗电流以及抑制噪声。

著录项

  • 公开/公告号CN102969407A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-03-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201210541719.7

  • 申请日2012-12-14

  • 分类号

  • 代理机构成都行之专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人谭新民

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2024-02-19 17:37:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-05-11

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L31/18 申请公布日:20130313 申请日:20121214

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2013-04-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20121214

    实质审查的生效

  • 2013-03-13

    公开

    公开

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