法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-01-10
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L31/109 申请公布日:20170215 申请日:20161130
发明专利申请公布后的驳回
2017-03-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/109 申请日:20161130
实质审查的生效
2017-02-15
公开
公开
机译: InGaAs / InP使用InGaAs / InP雪崩光电二极管在双极矩形门控信号下工作的近红外单光子探测器。
机译: InGaAs / InP红外光电探测器聚焦平面阵列(ODD)的结构及其制备方法
机译: 具有平面结构的基于Ingaas的原始光电探测器结构及其制造方法。