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吴振英; 吴桐; 胡常炎; 李蓉萍; 刘自力; 王淑琴; 赵俊英;
武汉电信器件公司;
激光二极管; 液相外延; 半导体技术; 激光器;
机译:具有MOCVD生长的掺Fe的InGaAsP / InP混合光栅层的高可靠,高速1.3μμm复耦合分布反馈埋藏超结构激光二极管
机译:基于量子阱InGaAsP / InP异质结构的高功率单模(λ= 1.3-1.6μm)激光二极管
机译:未冷却的1.3- / splμ/μm复耦合DFB BH激光二极管和掺Fe的InGaAsP-InP混合电流阻挡光栅
机译:通过加速老化测试评估1.3 / spl mu / m InGaAsP / InP非冷却激光二极管的结构相关可靠性
机译:大功率近谐振1.55微米发射InGaAsP / InP反导二极管激光器阵列。
机译:高功率光动力疗法(HLLT)功效的体外初步研究:脉冲二极管激光器和超脉冲二极管激光器之间的比较以及过氧化氢的受控稳定作用
机译:InGaAsP / InP激光器在1.3μm的高功率和高频组合运行
机译:埋氧氧化物脊波导Inalas-Inp-InGaasp(λ约1.3微米)量子阱异质结构激光二极管
机译:Alingaas / InGaASP / InP边缘发射半导体激光器,包括多个单片激光二极管
机译:INGAASP / INP激光二极管及其制造方法
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