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朱志文; 李金良; 计敏; 伍锋; 邓履清; 杨璠;
重庆光电技术研究所;
光纤通信; 发光二极管; 金属化; 封装;
机译:具有MOCVD生长的掺Fe的InGaAsP / InP混合光栅层的高可靠,高速1.3μμm复耦合分布反馈埋藏超结构激光二极管
机译:未冷却的1.3- / splμ/μm复耦合DFB BH激光二极管和掺Fe的InGaAsP-InP混合电流阻挡光栅
机译:使用新型InGaAs-AlAsSb-InP耦合双量子阱结构进行亚带间跃迁,以1.3 / spl mu / m / 1.55 / spl mu / m的超快全光切换
机译:具有窄束发散的1.3um和1.55um InGaAsP / InP量子阱发光二极管
机译:具有光栅辅助同向耦合器的InP / InGaAsP广泛可调谐滤波器/接收器。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:Inp的离子束刻蚀及其在高辐射InGaasp / Inp发光二极管制备中的应用
机译:埋氧氧化物脊波导Inalas-Inp-InGaasp(λ约1.3微米)量子阱异质结构激光二极管
机译:可以以包括不小于3.5微米的InGaAsP有源层以及InGaAsP和InP包层的简单结构获得大功率光输出的半导体发光器件
机译:全晶片级发光二极管封装及制造发光二极管封装的方法
机译:Alingaas / InGaASP / InP边缘发射半导体激光器,包括多个单片激光二极管
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