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陈韬; 蒋浩; 陈堂胜;
南京电子器件研究所;
氮化镓高电子迁移率晶体管; 低温合金; 欧姆接触;
机译:用于GaN HEMT的具有欧姆凹槽和低温退火的通用低电阻欧姆接触工艺
机译:四元In_(0.04)Al_(0.65)Ga_(0.31)N / GaN HEMT中的预金属化退火工艺改善了欧姆接触
机译:GaN基HEMT的非热合金欧姆接触脉冲激光退火工艺
机译:具有重新生长的欧姆接触和钝化优先工艺的AlGaN / GaN HEMT的制造和改进的性能
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:AlGaN / GaN HEMT的优化Ti / Al / Ta / Au欧姆接触的电学表征和纳米级表面形貌
机译:高电阻率Si衬底的AlGaN / GaN Hemts欧姆接触氧等离子体处理优化
机译:具有重掺杂n + -GaN欧姆接触2DEG的自对准栅GaN-HEmT。
机译:AlGaN / GaN欧姆接触电极及其制备方法,以及减少欧姆接触的方法
机译:p型GaN基半导体中低欧姆接触电阻的Epi结构和形成低欧姆接触电阻的Epi结构的生长方法
机译:具有高电导率和低欧姆接触电阻的p型GaN及其制备方法
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