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公开/公告号CN207818573U
专利类型实用新型
公开/公告日2018-09-04
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第十三研究所;
申请/专利号CN201820287073.7
发明设计人 崔玉兴;谭永亮;樊帆;毕胜赢;胡泽先;张力江;
申请日2018-02-28
分类号
代理机构石家庄国为知识产权事务所;
代理人郝伟
地址 050051 河北省石家庄市新华区合作路113号
入库时间 2022-08-22 06:14:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-04
授权
机译: 用于GaN HEMT器件的自对准ITO栅电极
机译: GaN HEMT器件结构和制造方法
机译:GaN-HEMT器件中欧姆接触形成的高分辨率物理分析
机译:具有P-GaN门的增强GaN的HEMT器件的进展
机译:常关型GaN HEMT器件中p-GaN栅极的物理操作和优化
机译:基于TCAD的GaN-HEMT器件欧姆接触的仿真研究。
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:适用于2.5 GHz至6 GHz干扰器系统的紧凑型20W GaN内部匹配功率放大器
机译:通过动态和电致发光测量表征具有透明栅电极的AlGaN / GaN HEMT器件
机译:GaN /衬底热边界电阻对HEmT器件的影响