退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
刘一兵; 黄新民; 刘国华;
湖南大学电气与信息工程学院,长沙410082;
邵阳职业技术学院机电工程系,湖南邵阳422000;
氮化镓; 金属有机物化学气相淀积; 分子束外延; 氢化物气相外延; 缓冲层;
机译:氮化参数和初始生长条件对Si(111)基材上等离子体辅助分子束外延生长的GaN外延层极性的影响
机译:Si(111)基材上等等离子体辅助分子束外延生长的GaN层的光电性能和SiC / Si(111)外延层
机译:GaN核和IngaN / GaN多量子阱核/壳纳米线在导热铍氧化物基材上外延生长
机译:射频分子束外延(0 01)GaAs基材上的GaN薄膜外延生长和表征
机译:用于未来III-氮化物生长的氢化物气相外延生长GaN衬底的表征
机译:GaN核和InGaN / GaN多重外延生长导热铍上的量子阱核/壳纳米线氧化物基板
机译:由卤化物气相外延形式ingan外延生长生长的现有技术平面独立GaN基材的优点及其存在的优点及剩余问题
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管
机译:外延生长用基板,GaN基半导体膜的制造方法,GaN基半导体膜,GaN基半导体发光元件和GaN基半导体发光元件的制造方法
机译:外延生长衬底,GaN基半导体层的制造方法,GaN基半导体层,发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件
机译:外延生长用基板,GaN半导体膜的制造方法,GaN半导体膜,GaN半导体发光元件的制造方法以及GaN半导体发光元件
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。