GaN基材料外延层生长制备方法

摘要

本发明公开了一种GaN基材料外延层生长制备方法，使用金属有机物化学气相沉积方法在衬底上间歇生长外延层，获取器件所需的缓冲层结构；在整个薄膜生长过程中，向金属有机物化学气相沉积薄膜生长室内等流量持续通入III族生长源及载流气体，间歇通入V族生长源，V族生长源间断时间依间歇次序等梯度递减。本发明提供的制备方法能够显著降低GaN基材料外延层的位错密度，有效提高器件外延层的晶体质量，从而有效提高光电半导体器件及电子器件的性能。