机译:氮化参数和初始生长条件对Si(111)基材上等离子体辅助分子束外延生长的GaN外延层极性的影响
St Petersburg Natl Res Acad Univ Russian Acad Sci St Petersburg Russia;
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机译:氮化参数和初始生长条件对Si(111)基材上等离子体辅助分子束外延生长的GaN外延层极性的影响
机译:生长前衬底氮化对ECR-MBE在Si(001)和Si(111)衬底上生长的GaN异质外延层初始生长过程的影响
机译:等离子体辅助分子束外延在Si(111)上生长的外延取向GaN纳米棒的结构和光致发光特性
机译:通过ECR-MBE在Si(001)和Si(L 1 1)基材上生长的GaN杂轴层初始生长过程中底物氮化的影响
机译:电子回旋共振等离子体辅助分子束外延在硅(111)衬底上生长和评估氮化镓。
机译:等离子体辅助分子束外延通过液滴外延对Si(111)上的GaN纳米点进行表征和密度控制
机译:等离子体辅助分子束外延在Si(111)上生长的外延取向GaN纳米棒的结构和光致发光特性