机译:由卤化物气相外延形式ingan外延生长生长的现有技术平面独立GaN基材的优点及其存在的优点及剩余问题
机译:通过卤化物气相外延生长用于m平面InGaN外延生长的最新m平面自立式GaN衬底的优点和剩余问题
机译:金属有机气相外延法在低缺陷密度M平面独立Gan衬底上生长M平面Ingan薄膜的改进特性和问题
机译:在氢化物气相外延生长的低缺陷密度极性和非极性独立式GaN衬底上的时间分辨光致发光,正电子ni灭和Al0.23Ga0.77N / GaN异质结构生长研究
机译:金属 - 有机气相外延,气源分子束外延和卤化物气相外延生长GaN的对比光学特征
机译:用于未来III-氮化物生长的氢化物气相外延生长GaN衬底的表征
机译:分子束外延在独立式GaN光栅上InGaN / GaN量子阱的图案生长
机译:在两步外延横向过长GaN模板上通过氢化物汽相外延生长无应变的块状GaN
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管