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朱志炜; 郝跃; 赵天绪; 张进城;
西安电子科技大学微电子所;
等离子体工艺; MOSFET; 栅氧化层损伤; 半导体器件; 等离子体损伤; 天线结构; 集成电路;
机译:低温退火对工艺引起的栅氧化层损伤的影响
机译:电荷等离子体双材料栅氧化层(SiGO-on-绝缘层)MOSFET的可靠性分析
机译:减少层间介电层(ILD)工艺中HDP-CVD氧化物沉积过程中等离子体引起的损伤
机译:层间电介质新工艺对0.13 / spl mu /双栅氧化层中等离子体充电损伤的影响
机译:通过隧道外延,使用氮化的热氧化物作为栅绝缘体,开发自对准双栅MOSFET的工艺流程。
机译:FinFET Cu BEOL工艺中金属间介电层等离子体诱发损伤的测试图案设计
机译:超薄(3-nm)栅氧化层中等离子体诱导的充电损伤
机译:后栅等离子体和溅射工艺对金属栅CmOs集成电路辐射硬度的影响
机译:通过防止栅氧化层暴露于后处理等离子体环境中来减少半导体器件的栅氧化层的等离子体损伤的方法
机译:具有防止因等离子体引起的电荷造成的氧化损伤的片上保护的MOSFET IC
机译:具有HV输入级的集成电路-在具有绝缘栅电极的衬底上具有开关MOSFET,绝缘栅电极的栅氧化层的厚度与场氧化层的厚度相同
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