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机译:低温退火对工艺引起的栅氧化层损伤的影响
机译:退火温度对铟锡氧化物/ MoO_x / SiO_x / Si叠层中MoO_x / SiO_2界面处MoO_x功函数的影响及过程诱导的损伤
机译:比较0.5微米晶体管遭受工艺损伤的CVD堆叠栅氧化物和热栅氧化物的比较
机译:未来的薄栅氧化物中由过程引起的带电损伤的前景
机译:低温N / sub 2 / O退火的氧化物和化学氧化物在减少p / sup + /多晶硅钨极栅极的硼渗透和栅极损耗方面的应用
机译:等离子体工艺引起的薄栅极氧化物上的充电损伤
机译:高效光电化学水的起源赤铁矿/功能性纳米杂化金属氧化物覆层的分裂低温惰性气体退火处理后的光电阳极
机译:等离子体工艺引起的栅极氧化物潜在损伤 - 由单层和多层天线结构证明
机译:硅太阳能电池中的辐射损伤退火机制和可能的低温退火