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朱志炜; 郝跃; 马晓华; 曹艳荣; 刘红侠;
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;
突发击穿; 软击穿; 应力引起的泄漏电流; 热电子应力;
机译:确定由电应力引起的栅氧化层势垒高度变化的简单技术
机译:多晶硅应力增强扩散引起的栅氧化层失效异常
机译:金属蚀刻过程中等离子充电引起的栅氧化层损伤的表征
机译:由于电荷注入和离子轰击,离子注入引起的栅氧化层损伤
机译:蠕变引起的残余应力在0度/ 90度Nicalon纤维增强BMAS玻璃-陶瓷基复合材料的层合中增强。
机译:栅漏电流在AlGaN / GaN肖特基栅HFET和MISHFET中引起的陷阱
机译:用于栅氧化层可靠性增强的模拟CmOs IC的分层极端电压应力测试*
机译:Hrtem图像模拟栅氧化层中的结构缺陷。
机译:通过防止栅氧化层暴露于后处理等离子体环境中来减少半导体器件的栅氧化层的等离子体损伤的方法
机译:减少栅电极等离子刻蚀中栅氧化层损伤的方法
机译:确定穿过薄栅氧化膜的隧道中有效栅氧化层厚度和临界栅氧化层厚度的方法
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