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机译:由于电荷注入和离子轰击,离子注入引起的栅氧化层损伤
Marneno K.; Nagasawa H.; Nishida A.; Fujiwara H.;
机译:多晶硅栅掺杂浓度对超薄栅氧化物等离子体充电损伤的影响
机译:用等离子充电探针预测等离子充电引起的栅极氧化物损伤
机译:使用栅极感应的漏极泄漏电流进行电荷注入,以表征CMOS器件中的等离子体边缘损坏
机译:等离子体工艺引起的薄栅极氧化物上的充电损伤
机译:快速将光诱导的电荷注入共价多金属氧酸盐-双键共轭物
机译:通过晶片充电防止等离子体损伤的方法,能够防止氧化镓的损伤
机译:用于抑制栅极氧化物等离子体充电损坏的半导体结构及其制造方法
机译:减少充电引起的栅极氧化物损伤的方法
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