摘要
Abstract
第一章 引言
第一节 集成电路工艺可靠性问题概述
第二节 本文所述内容
第三节 可靠性工作的内容与数学模型
1.3.1 可靠性的基本数学概念
1.3.2 工艺可靠性分析中的寿命分布模型
第二章 栅氧可靠性测试介绍和分析
第一节 栅氧可靠性测试方法分类
第二节 TDDB的测试方法和测试结构概述
2.2.1 TDDB的测试方法
2.2.2 TDDB的测试结构
第三节 栅氧击穿的分类与测试条件
2.3.1 栅氧击穿的分类
2.3.2 TDDB测试条件的选取
第三章 栅氧TDDB的实验过程
第一节 实验样本的制造工艺
第二节 实验中TDDB可靠性测试过程
3.2.1 试验仪器和环境的准备
3.2.2 TDDB测试算法
3.2.3 TDDB测试过程
第四章 实验结果与分析
第一节 TDDB测试的数据统计
4.1.1 实验数据
4.1.2 Well-bull分布统计
第二节 TDDB测试的数据分析
第三节 关于TDDB实验结果的机理模型
4.3.1 TDDB机理和模型
4.3.2 氮离子注入对TDDB的影响及机理分析
4.3.3 氮离子注入对TDDB隧穿电子的影响及机理分析
4.3.4 氮离子注入对界面陷阱电荷的影响及机理分析
第四节 结论
第五章 总结与展望
参考文献
致谢
