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METHOD FOR PREVENTING PLASMA DAMAGE BY WAFER CHARGE UP, CAPABLE OF PREVENTING DAMAGE TO A GATE OXIDE

机译:通过晶片充电防止等离子体损伤的方法,能够防止氧化镓的损伤

摘要

PURPOSE: A method for preventing plasma damage by wafer charge up is provided to prevent plasma damage by forging a buffer layer neutralizing charge transferred to the backside of a wafer.;CONSTITUTION: In a method for preventing plasma damage by wafer charge up, an electrical buffer layer for re-distributed charges on a wafer backside is formed. The buffer neutralizes charges to prevent charge split. The electrical buffer layer makes positive charge implant. The electrical buffer layer is formed as a P-well.;COPYRIGHT KIPO 2011
机译:目的:提供一种防止晶片充电引起的等离子体损坏的方法,以通过锻造缓冲层中和转移到晶片背面的电荷来防止等离子体损坏。组成:在一种防止晶片充电引起的等离子体损坏的方法中,形成用于在晶片背面上重新分配电荷的缓冲层。缓冲器中和电荷以防止电荷分裂。电缓冲层进行正电荷注入。电缓冲层形成为P型阱。; COPYRIGHT KIPO 2011

著录项

  • 公开/公告号KR20110078257A

    专利类型

  • 公开/公告日2011-07-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 DONGBU HITEK CO. LTD.;

    申请/专利号KR20090135017

  • 发明设计人 CHOI JIN SIK;

    申请日2009-12-31

  • 分类号H01L21/3065;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 17:51:30

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