dielectric thin films; plasma deposition; integrated circuit interconnections; silicon compounds; interlayer dielectric; plasma charging damage; dual gate oxide; etch stop liner; single stack silicon nitride; dual stack ESL; helium cooling; ILD high density plasma film deposition; antenna structures; gate leakage; 0.13 micron; 1.2 V; 2.5 V; 3.3 V; Si; O;
机译:多晶硅干法刻蚀对0.5 / splμm/ m NMOS晶体管性能的影响:同时存在等离子体轰击破坏和等离子体充电破坏
机译:在0.6- / splμ/ m双电压混合信号CMOS工艺中集成两种不同的栅氧化层厚度
机译:用等离子充电探针预测等离子充电引起的栅极氧化物损伤
机译:层间电介质的新方法对0.13 / SPL MU /双栅氧化物等血浆充电损伤的影响
机译:等离子体工艺引起的薄栅极氧化物上的充电损伤
机译:监管或氧化性破坏?蛋白质组学方法研究半胱氨酸氧化状态在生物过程中的作用
机译:超薄(3-nm)栅氧化层中等离子体诱导的充电损伤
机译:双门控双层石墨烯中的电荷输运与Corbino几何