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陈扬文; 江素华; 邵丙铣; 戎瑞芬; 汪荣昌; 顾志光; 王家楫;
复旦大学材料科学系;
Si纳米线; 磁控溅射; 镀Ni; 退火; 薄膜;
机译:气相固液生长的Au催化和Al催化的Si纳米线的B掺杂:Si纳米线生长过程中B2H6气体的影响以及通过后合成原位等离子体工艺进行B掺杂
机译:退火工艺对化学路线生长的Au-ZnO纳米线薄膜生长和表面性能的影响
机译:通过Ni和电子束光刻之间的固态反应通过Ni和电子束光刻中的镍硅化物纳米线的线宽和生长行为制备Si纳米线
机译:通过Ni的表面偏析生长的大尺寸石墨烯薄膜的表面显微镜特征,并转移至Si / SiO_2衬底
机译:氢封端的Si(111)-(1×1)表面Fe薄膜生长初期的微观结构和局部电子态的研究
机译:退火工艺对Ni(55%)Cr(40%)Si(5%)薄膜电阻器性能的影响
机译:反应扩散过程中Co2Si,Ni2Si,WSi2和VSi2薄膜生长的动力学
机译:金属诱导si薄膜和Nisi纳米线的生长
机译:基于Cu-Ni-Si的铜合金板,镀薄的Cu-Ni-Si-Si基铜合金板,以及Cu-Ni-Si基铜合金板的制备方法和薄膜镀铜Cu-Ni-Si基 铜合金板
机译:在Si晶片上形成Ni和Ni合金膜的方法,在Si晶片上形成Ni和Ni合金膜的方法,在形成Ni时Si晶片的表面的表面粗糙化处理液和镍合金膜,转化处理方法
机译:形成Ni和Ni合金膜的硅晶片,在Si晶片上形成Ni和Ni合金膜的方法,在形成Ni和Ni合金膜的硅晶片表面上进行表面粗加工的液体,以及在表面上进行表面粗加工的方法
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