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马蕾; 郭延岭; 娄建忠; 彭英才;
河北大学电子信息工程学院;
多晶Si薄膜; Si纳米线; 退火温度; 生长时间; 光致发光;
机译:蒸气液固生长的金催化和铝催化的硅纳米线的B掺杂:Si纳米线生长过程中B_2H_6气体的影响以及后合成原位等离子体工艺对B掺杂的影响
机译:气相固液生长的Au催化和Al催化的Si纳米线的B掺杂:Si纳米线生长过程中B2H6气体的影响以及通过后合成原位等离子体工艺进行B掺杂
机译:Si / Fe流量比对Si(100)表面多晶β-FeSi_2薄膜的生长和物理性能的影响
机译:高垂直GaAs核壳纳米线在化学处理过的Si(111)表面上的自催化生长
机译:氢封端的Si(111)-(1×1)表面Fe薄膜生长初期的微观结构和局部电子态的研究
机译:金催化的SiGe纳米线和替代金属催化的Si纳米线的生长和表征
机译:在si(111)上生长的邻近si(111)表面和ag薄膜的RHEED研究
机译:在非晶和多晶衬底上薄膜cSi的低温异质外延生长方法以及在非晶,多晶和晶体衬底上的c-Si器件的低温异质外延生长方法
机译:Si 1-XY Sub> GE X Sub> C Y Sub>和Si 1-Y Sub> C 的外延和多晶生长通过UHV-CVD在Si上形成Y Sub>合金层
机译:利用UHV-CVD法在SI上形成Si1-X-Yygycy和Si1-Ycy合金层的表观和多晶生长
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