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王全彪; 杨瑞东; 杨宇;
云南大学材料科学与工程系;
Si薄膜; 动力学蒙特卡罗; 扩散距离; 成岛温度;
机译:Si和SiGe在Si(100),Si(110)和Si(111)表面上的生长动力学
机译:在Si(110)和Si(100)表面上通过直接自由基氮化形成的Si_3N_4薄膜的电学特性
机译:H-Si(111)和H-Si(100)表面上的α-庚基-(乙二醇)甲基ω-十一碳烯醚薄膜的蛋白质吸附抗性和稳定性的比较
机译:Si单晶体表面(100)和(111)的原子取代方法外延生长的机制和在单晶中生长的Si膜的表面上的表面(100)和(111)
机译:Si(100)上的含羰基和氮的分子的反应以及无助焊剂在多晶Cu表面上的回流。
机译:In / Al比对通过RF-MOMBE在Si(100)上生长的InAlN薄膜的结构和光学性能的影响
机译:SI(100)和SI1-xGEx(100)表面上硅锗外延生长的基本过程的理论研究
机译:si(100)上乙烯化学气相沉积生长si-C薄膜的X射线光电子能谱研究。
机译:Si100 / Si111硅蚀刻剂组合物表现出低Si100 / Si111选择性和低碳化硅蚀刻速率
机译:在结构化si(113)-表面上选择性外延生长si或siφ1-φφ×φgeφ×φ的方法
机译:在si衬底上生长的gaas薄膜的制备方法及在si衬底上生长的gaas薄膜的制备方法
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