一种利用二氧化锡催化生长Si纳米线的方法

摘要

一种利用二氧化锡催化生长Si纳米线的方法，将掺氟氧化锡涂层导电玻璃作为衬底，加热后通入Ar气并电离成等离子体，同时采用流动的Ar气调节真空腔内的压强维持在10‑100Pa；然后通入SiH4和H2，掺氟氧化锡涂层导电玻璃上的掺氟氧化锡涂层融化成直径为0.2‑0.5μm的液相SnO2球体；在真空下，进行沉积，得到Si纳米线。本发明创新性的利用掺氟氧化锡层导电玻璃上的掺氟氧化锡层来提供SnO2，并且SnO2作为催化剂生长硅纳米线，达到原位生长效果。本发明工艺简单，成本低，且能够实现批量生产。