二氧化锡纳米线的生长机理研究

摘要

使用水平石英管式电炉，以二氧化锡和石墨的混合物为原材料、高纯氮气为载气，在850℃温度下用直接热蒸发法制备二氧化锡纳米线．衬底硅片的直径为10mm，其上覆盖一层5nm厚的金催化剂．原材料放在石英舟中，离原材料30mm的下风口处放置硅衬底，原材料和硅衬底都放置在石英管的中部电炉的恒温区内．用扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）观察到二氧化锡的纳米线结构；X射线衍射（XRD）表明二氧化锡纳米线具有四方金红石结构；选区电子衍射（SAED）照片表明二氧化锡纳米线具有完善的晶体结构．不同生长时间下制备样品的扫描电子显微镜和透射电子显微镜照片再现了二氧化锡纳米线的生长过程，该纳米线的生长符合传统的VLS生长机制．