电子束蒸发玻璃薄膜中间层的阳极键合研究

摘要

介绍了一种用电子束蒸发Schott 8329玻璃薄膜作为中间层,实现硅-硅以及硅-SOI阳极键合的方法。调整蒸发时的工艺并且450℃退火,沉积了粗糙度9.62 nm、初始应力139 MPa、喷点较少的薄膜,从而获得了>95%的键合面积。键合电压20 V,温度300℃~500℃下硅-硅的键合强度可达1.47 J/m2,同时分析了键合电流特性。400℃,40V下键合了Si和SIMOXSOI硅片,用TMAH溶液进行基底减薄,获得了厚介质层薄顶层硅结构,这为一些MEMS器件的制作奠定了基础。