Anodic bonding of glass-silicon-glass three-layer structure with Si_3N_4 thin film

摘要

为了获得高品质的带有SI3n4薄膜三层(玻璃—硅—玻璃)的阳极键合结构,对阳极键合的相关工艺参数进行了研究;设计搭建了实验平台并采用点阴极,以实时观察键合界面是否达到同形质的黑色从而判断阳极键合质量,对键合后的样品进行拉力测试,研究表明:当采用键合温度为400℃,电压为1200 V,压力为450 PA,可获得键合面积大于90%的带有SI3n4薄膜的三层阳极键合结构。