电子束蒸发氮化硅薄膜及其特性研究

摘要

本文报导了用电子束蒸发的方法,在GaAs衬底上制备Si3N4掩蔽膜的实验结果。在250℃～280℃下,用Cr激活的GaAs——Si3N4薄膜,附着力显著增大,可掩蔽Zn进行较深的扩散。而且引入的痕量Cr小于1ppm。