Harbin Institute of Technology Harbin, 150001, China;
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West Digital Corporation, San Jose, California, United States;
Harbin Institute of Technology Harbin, 150001, China;
机译:分子动力学模拟数值模拟溅射功率对氮化钽薄膜纳米摩擦性能的影响
机译:氮化硅中棱柱与基面之间的硅酸钙晶间膜的原子结构:分子动力学研究
机译:非晶态氮化硅涂层在晶体硅上的粘结性能的分子动力学研究
机译:氮化硅膜纳米摩擦学性能的分子动力学研究
机译:氧化铝和氮化硅晶粒之间晶间膜的分子动力学模拟
机译:聚酰亚胺/氮化硅纳米复合薄膜的介电性能和空间电荷行为
机译:非晶氮化硅涂层在晶体硅上的键合特性的分子动力学研究
机译:通过溅射和在α-铁 - 氮化物相中评估巨磁性矩在硅(001)上外延生长的铁 - 氮化物薄膜的物理性质;博士论文