一种纳米硅/氮化硅薄膜型电子源及其制作方法

摘要

一种纳米硅/氮化硅薄膜型电子源及其制作方法，包括依次沉积在基底上的底电极、纳米硅/氮化硅层以及顶电极；且纳米硅/氮化硅层采用镶嵌有纳米晶硅的氮化硅薄膜；或者纳米硅/氮化硅层采用纳米晶硅层与氮化硅层交替组成的多层薄膜。在纳米硅/氮化硅层的制备过程中，调节通入镀膜腔中的氩气和氮气的分压比或调节硅靶和氮化硅靶的溅射功率来控制最后制得的纳米硅/氮化硅层中的硅晶粒的大小及密度，使硅晶粒的粒径达到3‑6nm。此纳米硅/氮化硅薄膜电子源的制作工艺与硅基微电子加工工艺兼容，并且其电子发射性能稳定。