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杜晓松; 王宇; 孔祥兔;
常州大学微电子与控制工程学院;
江苏常州213164;
电子束光刻; 无掩模版图形化; 直写技术; 氧化物半导体器件; In-Ga-Zn-O;
机译:使用功能性前体新癸酸锌直接用作负电子束光刻胶来制备纳米级ZnO场效应晶体管
机译:In-Ga-Zn-O透明亚微米级矩形棒的制备:透明In-Ga-Zn-O光波导的可能应用研究
机译:使用完全透明的非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管的高灵敏度离子敏感场效应晶体管传感器
机译:低温加工金属 - 半导体场效应晶体管,具有Ar + O_2 + H_2溅射的IN-GA-ZN-O通道
机译:电化学制备的石墨烯场效应晶体管和磁阻器件。
机译:电子束光刻法制备水凝胶及其在酶级联反应中的应用
机译:通过直接写电子束光刻技术制备的亚微米调制掺杂场效应晶体管/金属半导体基光电子集成电路接收器
机译:聚合物表面的改性及亚微米级功能化结构的深紫外和电子束光刻制备
机译:烧结的基于In-Ga-Zn-O的氧化物压块及其制备方法,溅射靶标和氧化物半导体膜
机译:In-Ga-Zn-O基氧化物的烧结体,其制备方法,溅射靶和氧化物半导体膜
机译:电子束光刻的掩膜,其制备方法,转移膜和转移膜的制备方法
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