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GaAs基PHEMT加速度传感器的研究

     

摘要

PHEMT结构一种高电子迁移率品体管,以其高频和低噪声等方面的优越性,成为当今微电子领域中最活跃的研究主题之一.将其良好的力敏特性应用在加速度计方面更是成为前沿的研究方向.基于GaAs基PHEMT结构压阻效应,设计加工出一种悬臂梁式微加速度传感器,通过力作用在加速度计上,改变PHEMT结构漏极电流的输出,并通过外围测试电路来检测该电流变化,从而实现力电转换.文中,对其基本原理和结构设计进行阐述,并进行力学特性的研究.结果表明,在动态测试下.PHEMT结构的漏极输出电流与栅压、漏压之间的关系与静态测试Ⅰ-Ⅴ特性曲线保持一致.该加速度计具有良好的线性特性,经过测试在饱和区灵敏度为0.177 mV/g_n.

著录项

  • 来源
    《传感技术学报》|2010年第2期|188-191|共4页
  • 作者单位

    中北大学电子测试技术国家重点实验室,仪器科学与动态测试教育部重点实验室,太原030051;

    中北大学电子测试技术国家重点实验室,仪器科学与动态测试教育部重点实验室,太原030051;

    中北大学电子测试技术国家重点实验室,仪器科学与动态测试教育部重点实验室,太原030051;

    中北大学电子测试技术国家重点实验室,仪器科学与动态测试教育部重点实验室,太原030051;

    中北大学电子测试技术国家重点实验室,仪器科学与动态测试教育部重点实验室,太原030051;

    中北大学电子测试技术国家重点实验室,仪器科学与动态测试教育部重点实验室,太原030051;

    中北大学电子测试技术国家重点实验室,仪器科学与动态测试教育部重点实验室,太原030051;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 肖特基势垒栅场效应器件;
  • 关键词

    微加速度计; PHEMT; 动态测试; 灵敏度; GaAs;

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