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减小CMOS逻辑器件的△I噪声的方法

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通过确定CMOS逻辑器件的各种参数与馈通电流和容性负载充放电电流的定量关系,得出设计CMOS逻辑器件的各种参数以减小△I噪声,从电磁兼容的角度提出了设计CMOS器件的方法.

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来源
《电波科学学报》 |2000年第3期|282-288|共7页
作者
任克宁; 张林昌; 沙斐;
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作者单位

Elektrobit Ltd.Tutkijantie 890570,Oulu Finland;

北方交通大学抗电磁干扰中心,北京,100044;

北方交通大学抗电磁干扰中心,北京,100044;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类噪声与干扰;
关键词
CMOS; △I噪声; 馈通电流; 容性负载充放电电流;

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