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一种减小工艺参数影响的CMOS集成电流源设计方法与电路实现

         

摘要

本文利用Vtp提取电路、能隙基准电压源电路以及运算放大电路设计了一种电流源电路。使用CA-DENCESPECTRE仿真工具进行仿真,在TSMC0.35μm工艺的五种工艺边界条件TT、FF、FS、SF、SS)下,该电路输出电流变化小于8%,并且在同一工艺边界条件下输出电流随温度(-40~85℃)变化小于3%。

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