PECVD a-SiNx∶H薄膜中的氢分布

何奕骅; 翁丽敏; 许春芳; 杨光; 邬学文

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PECVD a-SiNx∶H薄膜中的氢分布

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用红外光谱、质子核磁共振谱对以ＳｉＨ４／ＮＨ３／Ｎ２混合气体为源、用等离子体增强化学气相淀积法淀积的非晶氢化氮化硅（ａＳｉＮｘ∶Ｈ）薄膜进行了分析，结果表明膜中Ｈ以ＳｉＨ和ＮＨ形式存在，均呈集聚和疏散两种分布状态，衬底温度影响氢的总量和分布均匀性，射频功率显著影响［ＮＨ］／［ＳｉＨ］，退火后氢仍呈集聚和疏散两种分布．

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来源
《波谱学杂志》 |1998年第4期|295-302|共8页
作者
何奕骅; 翁丽敏; 许春芳; 杨光; 邬学文;
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作者单位

华东师范大学电子科学技术系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜测量与分析;
关键词
非晶氢化; 氮化硅; 薄膜; 氢原子; 质子核磁共振;

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