PECVD制备氢化非晶硅薄膜的氢含量研究

摘要

采用等离子增强化学气相沉积工艺在硅片上制备a-Si：H薄膜，用傅里叶变换红外光谱仪测试薄膜的红外光谱吸收峰。研究了衬底温度、工艺压强和氢气稀释比对a-Si：H薄膜中氢含量的影响。结果表明，随着衬底温度升高，氢含量显著减小；压强增大时，氢含量也增大；氢气稀释比增大，氢含量反而减小。选择适当的工艺参数，可以控制a-Si：H薄膜的氢含量，从而改善a-Si：H薄膜性能和微结构。研究结果对低温多晶硅制造工艺也有一定的指导意义。