PECVD法制备氢化非晶硅薄膜的光学特性研究

摘要

非晶硅薄膜材料在光伏太阳能电池领域有着广泛的应用。本文采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术，在玻璃(CorningEagle2000TM)衬底上以硅烷（SiH4）和氢气(H2)为气源制备出均匀的300nm左右的本征氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜，利用简化反射-传输测试仪（mini-RT）、双电子束光传导测试仪（DBP）等测试手段系统研究了不同反应气体浓度下衬底温度对制备非晶硅薄膜光学特性的影响。研究参数包括吸收系数、禁带宽度、乌巴赫能量、折射率、缺陷密度等。结果表明，PECVD法制备的氢化非晶硅薄膜具有器件级光学特性，可以应用于薄膜太阳能电池的吸收层及其他光伏或光电子器件中。