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李世彬; 吴志明; 朱魁鹏; 蒋亚东; 李伟; 廖乃镘;
电子科技大学光电信息学院,成都610054;
电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054;
非晶硅; 光学常数; 光学禁带; 傅立叶红外光谱; 薄膜;
机译:衬底温度对射频磁控溅射制备Au / SiO2纳米复合薄膜结构和光学性能的影响
机译:衬底温度对MOCVD法制备掺Sb的ZnO薄膜光学性能的影响
机译:衬底温度对高性价比化学喷雾热解法制备ZnO薄膜结构和光学性能的影响
机译:衬底温度对RF-PECVD制备非晶硅锗薄膜性能的影响
机译:RF溅射法制备Si / Ingan异质结太阳能电池:改进氮化铟镓(IngaN)薄膜的电气和光学性能
机译:内在应力对非晶硅掺杂SnO2薄膜结构和光学性能的影响
机译:衬底温度对脉冲喷雾热解法制备的结晶ZnO薄膜结构和光学性能的影响
机译:硅烷等离子体中siH浓度对非晶硅薄膜沉积的衬底温度依赖性
机译:一种在高衬底功率下使用稀释液在低衬底温度下制备低带隙非晶硅薄膜的方法
机译:通过R.F.的光放电从SIH4 / F2混合物中制备非晶硅薄膜的方法使用分解区域的方法和沉积法在制造包括光电转换在内的光电系统时的使用相结合
机译:感应耦合化学气相沉积法,非晶硅薄膜,氮化硅薄膜和使用瑟勒夫制成的非晶薄膜晶体管
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