GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光管材料制备及表征

摘要

超辐射发光二极管(SLD)具有不同于半导体激光器和普通发光二极管的优异性能.为了制备高功率半导体超辐射发光管,并且得到比较大的光谱宽度、大的单程增益和抑制电流饱和,我们研究设计了具有850nm辐射波长的GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光二极管结构, 采用分子束外延(MBE)方法进行了材料制备.同时利用X射线双晶衍射,变温(10～300 K)光致发光(PL)等方法检测分析了外延薄膜的结构和光电特性.在光致发光谱线中我们得到了发射波长850nm的谱峰,谱峰范围跨跃800～880nm ,双晶回摆曲线结果显示了设计的结构得到实现.在注入电流140mA时,器件输出光谱的半峰全宽可以达到26nm,室温下连续输出功率达到6mW.