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GaAlAs/GaAs多量子阱激光器结构设计

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本文详细地讨论了多量子阱激光器材料的结构设计、量子阱结构对激射波长的影响以及波导限制层铝含量x值对光限制因子的影响.用由密度矩阵理论推导的线性光增益公式,计算了光增益.从受激阈值条件得到最佳阱数和最佳腔长.为多量子阱激光器材料结构设计提供了有效的方法.

著录项

来源
《半导体学报》 |1992年第8期|463-468|共6页
作者
张敬明; 徐俊英; 肖建伟; 徐遵图; 李立康; 杨国文; 曾安; 钱毅; 陈良惠;
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作者单位

国家集成光电子学联台实验室中国科学院半导体研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN243.03;
关键词
量子阱; 激光器; 结构设计; 波长; 阈值;

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