Sendai National College of Technology, Aoba, Sendai 989-3124, Japan;
quantum well; tunneling; electroabsorption; exciton resonance; photocurrent;
机译:通过霍尔效应分析测量的各种空间层厚度,Si-δ掺杂层和Algaas / InGaAs / Algaas / Algaas量子的温度依赖性电荷载流量
机译:AlGaAs / GaAs / Algaas井中GASB量子环的线性和非线性光学性能的操纵,ALAS / GAAS / INGAAS / ALAS双量子阱
机译:不同量子阱深度的近表面AlGaAs / InGaAs / AlGaAs量子阱的电和光学性质
机译:在复合IngaAs / Algaas和GaAs / Algaas中的非均匀隧道运输多量子阱
机译:掺Si的GaAs / AlGaAs多量子阱中电子与电子相互作用的远红外研究。
机译:通过圆偏振光激发的自旋光电流研究无掺杂InGaAs / AlGaAs多量子阱中的自旋输运
机译:单片集成多个InGaAs / AlGaAs和GaAs / AlGaAs量子阱系统中光激发载流子的隧穿竞争
机译:单片二维表面发射应变层InGaas / alGaas和alInGaas / alGaas二极管激光器阵列,具有超过50%的差分量子效率