首页> 中文期刊> 《高压物理学报 》 >热丝CVD方法生长金刚石薄膜中石墨成份控制

热丝CVD方法生长金刚石薄膜中石墨成份控制

             

摘要

在用热丝CVD方法生长金刚石薄膜中,研究了生长条件对制备膜中石墨和非晶碳成份的影响,发现较高的碳源浓度或较低的衬底温度会使制备膜中非金刚石相碳成份增加。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号