热丝法CVD生长金刚石薄膜的简化工艺研究

摘要

研究了改变本底真空对薄膜质量的影响,给出了在该系统中得到质量较高金刚石薄膜的最小本底真空值;阐述了降低灯丝温度对薄膜质量的影响。在较低压力下用甲烷氢气作碳源在1500～1700℃合成质量较高的金刚石薄膜,在灯丝温度为1300℃时,获得了微观形貌为球状物的薄膜。用扫描电镜、喇曼光谱和X-ray衍射(Cu靶)对结果进行分析。