双层InGaAs沟道InP HEMT

摘要

阐述了一种新型的In0.80Ga0.20As/In0.53Ga0.47As双沟道InP HEMT结构.采用这种双沟道结构能够有效地提高沟道中电子的迁移率,减小碰撞电离对HEMT性能的影响;从而既显著提高了HEMT的截止频率,又可获得很高的直流输出电流.0.35 μm栅长HEMT器件的电流增益截止频率达到120 GHz,饱和电流密度、跨导达到790 mA/mm 、1 050 mS/mm,栅极击穿电压和通态击穿电压分别为5 V和3.2 V.