毫米波InAlAs/InGaAs/InP HEMT沟道中电子的二维分布

摘要

该文首次建立了ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）的二维量子模型，此模型是基于薛定谔方程和泊松方程自洽求解。根据这个模型，他们计算得到了ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ ＨＥＭＴ沟道中二维电子浓度的分布。