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李波; 吕坚; 蒋亚东;
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;
CMOS; 电流型; 温度补偿; 电源电压补偿; 振荡器;
机译:0.35M CMOS工艺中的+/- 0.28ppm温度补偿晶体振荡器的设计
机译:一种带共源共栅电流源的0.18μm CMOS阴道炎型压控振荡器的设计与制备
机译:用于物联网和植入式设备的0.5 V亚阈值CMOS电流控制环形振荡器
机译:工艺变频补偿电压控制环振荡器,基于减法的电压控制电流源
机译:具有片上电路的低功耗cmos弛张振荡器设计,用于组合温度补偿的参考电压和电流生成。
机译:在标准三阱CMOS工艺中使用垂直双极结型晶体管作为电流源的电路,以改善低频电压控制振荡器的相位噪声特性
机译:CMOS电流控制环形振荡器的工艺补偿方法
机译:高精度、低功耗、小面积CMOS电流不足环形振荡器,采用新颖的补偿技术,可满足电源、温度和工艺依赖性
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