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机译:0.35M CMOS工艺中的+/- 0.28ppm温度补偿晶体振荡器的设计
Chinese Acad Sci Inst Microelect Beijing 100029 Peoples R China;
ZunYi Normal Univ Zunyi Peoples R China;
Chinese Acad Sci Inst Microelect Beijing 100029 Peoples R China;
Oscillator; Crystal; Temperature-compensated; TCXO; VCXO; Varactor;
机译:0.35M CMOS工艺中的+/- 0.28ppm温度补偿晶体振荡器的设计
机译:0.35μmCMOS工艺中的差分耦合倍频压控晶体振荡器
机译:低功耗LC电压控制振荡器,带-140 dBc / Hz @ 1 MHz偏移使用片上电感设计,在0.13μm的RF-CMOS工艺中进行S波段应用
机译:温度补偿CMOS弛豫振荡器的设计
机译:具有片上电路的低功耗cmos弛张振荡器设计,用于组合温度补偿的参考电压和电流生成。
机译:具有CMOS放大器芯片的温度补偿单晶绝缘硅(SOI)MEMS振荡器
机译:用于电源管理电路的温度补偿CMOS环形振荡器