一种采用砷化镓pHEMT工艺的超宽带DC-40 GHz 4位单片数字衰减器

文星; 郁发新; 孙玲玲

首页> 中文期刊>电子器件 >一种采用砷化镓pHEMT工艺的超宽带DC-40 GHz 4位单片数字衰减器

一种采用砷化镓pHEMT工艺的超宽带DC-40 GHz 4位单片数字衰减器

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

介绍了一种超宽带DC-40GHz的4位单片数字衰减器.该衰减器采用0.25 μm砷化镓pHEMT工艺制造.据我所知,这种衰减器是至今国内文献报道中带宽最宽的.它通过采用适当的结构来得到超宽的带宽、低插入损耗以及高衰减精度.该衰减器具有1 dB的衰减步进和15 dB的衰减动态范围,插入损耗在40 GHz时小于5 dB,全衰减态及全频带内的输入输出回波损耗大于12 dB.

著录项

来源
《电子器件》|2010年第2期|150-153|共4页
作者
文星; 郁发新; 孙玲玲;
展开▼
作者单位

杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州,310018;

浙江大学航空航天学院航天电子工程研究所,杭州,310029;

杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州,310018;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类均衡器、衰减器（衰耗器）;微波混合集成电路（微波集成电路）;
关键词
超宽带; GaAs; pHEMT; 数字衰减器;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 砷化镓0.5 μm PHEMT开关标准工艺研究 [J] . 李拂晓 ,郑华 ,郑惟彬 . 固体电子学研究与进展 . 2006,第4期
2. 一种新颖的4bit和5bit超宽带Ga As单片数字衰减器 [J] . 王会智 ,沈亚 ,蒋幼泉 . 半导体学报：英文版 . 2005,第3期
3. 330GHz砷化镓单片集成分谐波混频器 [J] . 刘戈 ,张波 ,张立森 . 红外与毫米波学报 . 2017,第002期
4. 砷化镓PHEMT功率管高温加速寿命试验研究 [J] . 贾东铭 ,杨洋 ,林罡 . 固体电子学研究与进展 . 2014,第4期
5. 砷化镓光学pHEMT制程技术使具成本效益的毫米波应用成为可能 [J] . . 今日电子 . 2010,第012期
6. 6～18GHz砷化镓PHEMT宽带功放工艺技术研究 [C] . 蒋幼泉 ,李拂晓 ,钮利荣 . 第六届全国分子束外延学术会议 . 2001
7. 超宽带单片五位数字衰减器的研究 [A] . 文星 . 2009

一种采用砷化镓pHEMT工艺的超宽带DC-40 GHz 4位单片数字衰减器

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅