公开/公告号CN2424577Y
专利类型
公开/公告日2001-03-21
原文格式PDF
申请/专利权人 信息产业部电子第五十五研究所;
申请/专利号CN00219705.7
申请日2000-03-22
分类号H03H17/08;
代理机构东南大学专利事务所;
代理人沈廉;王之梓
地址 210016 江苏省南京市中山东路524号
入库时间 2022-08-21 22:41:39
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-06-23
专利权有效期届满 IPC(主分类):H03H17/08 授权公告日:20010321 申请日:20000322
专利权的终止
2001-03-21
授权
授权
机译: 单片半导体电致发光元件的矩阵-esp,使用掺杂砷化镓磷化物外延层覆盖的掺杂砷化镓衬底
机译: 单片半导体电致发光元件的矩阵-esp,使用掺杂砷化镓磷化物外延层覆盖的掺杂砷化镓衬底
机译: 包含磷化砷化铟镓的超宽带发光二极管和光学检测器及其制造方法