公开/公告号CN2434826Y
专利类型
公开/公告日2001-06-13
原文格式PDF
申请/专利权人 信息产业部电子第五十五研究所;
申请/专利号CN00221002.9
申请日2000-07-11
分类号H03H11/24;
代理机构东南大学专利事务所;
代理人沈廉
地址 210016 江苏省南京市中山东路524号
入库时间 2022-08-21 22:41:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-09-22
专利权有效期届满 IPC(主分类):H03H11/24 授权公告日:20010613 申请日:20000711
专利权的终止
2001-06-13
授权
授权
机译: 具有低阈值电流的横向结带激光器-砷化镓铝和砷化镓层在砷化镓衬底上外延生长
机译: 单片半导体电致发光元件的矩阵-esp,使用掺杂砷化镓磷化物外延层覆盖的掺杂砷化镓衬底
机译: 单片半导体电致发光元件的矩阵-esp,使用掺杂砷化镓磷化物外延层覆盖的掺杂砷化镓衬底