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贾东铭; 杨洋; 林罡; 金毓铨;
南京电子器件研究所;
砷化镓; 微波功率管; 平均失效前时间;
机译:高温下砷化镓光阴极的暗寿命退化
机译:用正电子寿命技术研究金半绝缘砷化镓触点中的电场分布
机译:时域太赫兹光谱研究块状砷化镓高电场下电子的飞秒加速
机译:石英基砷化镓平面肖特基二极管的加速寿命测试和失效分析
机译:砷化镓pHEMT分布式放大在宽带调制器驱动器应用中的研究。
机译:光电效应加速了砷化镓晶片上的电化学腐蚀和纳米压印工艺
机译:砷化镓铟/铝铟砷化物和砷化镓铝铟砷/铝铟砷化物MQW器件在1.3μm的室温载流子寿命和光学非线性
机译:利用加速寿命试验和建模研究氮化镓晶体管的可靠性
机译:用于生产砷化镓衬底晶片的掺杂砷化镓单晶的制备包括熔化砷化镓起始材料,然后使砷化镓熔化
机译:砷化铝对砷化铝镓摩尔分数缓冲层的高温砷化镓场效应晶体管
机译:由砷,硅和锗掺杂的砷化镓中的砷化镓溶液制备砷化镓晶体的方法
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