机译:新型InGaP-InGaAs-GaAs双通道拟态高电子迁移率晶体管(DC-PHEMT)的改进的温度相关性能
机译:拟态AlGaAs / InGaAs / GaAs高电子迁移率晶体管,在18 GHz时具有0.41 dB的超低噪声性能
机译:拟态AlGaAs / InGaAs / GaAs高电子迁移率晶体管,在18 GHz时具有0.41 dB的超低噪声性能
机译:一种新型超宽带8-45 GHz 4位GaAs伪高电子迁移率晶体管(pHEMT)整体数字衰减器,用于收发器的增益控制
机译:AlGaAs / InGaAs伪晶高电子迁移率晶体管的击穿行为和优化。
机译:假晶alGaas / InGaas / Gaas高电子迁移率晶体管,18 GHz时具有0.41 dB的超低噪声性能
机译:光控alGaas / Gaas高电子迁移率晶体管和Gaas mEsFET的微波性能